男，1973年12月出生，籍贯贵州遵义人，博士研究生，中级职称。

主要经历:

1、2022年-至今，桂林航天工业学院任教；

2、2017年-2020年，中国人民解放军国防科技大学；

3、2011年-2021年，湖南人文科技学院；

4、2008年-2011年，桂林电子科技大学，获微电子学与固体电子学（集成电路方向）硕士学位；

5、1999年-2008年，中国铁路集团第五工程局电务公司技术员；

6、1995年-1999年，上海铁道大学，获自动化专业（铁路信号控制）专业学位。

研究方向:

集成电路抗辐照加固技术。

主要论文

[1] Jizuo Zhang, Jianjun Chen, Pengcheng Huang, Shouping Li and Liang Fang. The Effect of Deep N+ Well on Single-Event Transient in 65 nm Triple-Well NMOSFET. Symmetry 2019, 11, 154.

[2] JIZUO ZHANG, LIANG FANG, JIANJUN CHEN, SHEN HOU, AND XIANYU TONG. Single Event Transient Study of pMOS Transistors in 65 nm Technology with and Without a Deep n+ Well Under Particle Striking. IEEE Access VOLUME 7, 2019: 149255-149261.

[3] Jizuo Zhang, Jianjun Chen, Pengcheng Huang, Shouping Li, Liang Fang. Angular dependency on heavy-ion-induced single-event multiple transients (SEMT) in 65nm twin-well and triple-well CMOS technology. Microelectronics Reliability, 2018(91) 278–282.

[4] Guoqing Yang, Jizuo Zhang, Jincheng Zhang, Xiangyuan Liu and Yimin Yang. Characterization of Single Event Effect in a Radiation Hardened Programmable Read-Only Memory in a 130 nm Bulk CMOS Technology. J. Nanoelectron. Optoelectron. 2023(18):1284–1295.

主要科研项目:

湖南省教育厅重点项目，28nm CMOS工艺数字集成电路单粒子瞬态效应多节点电荷收集共享的研究与验证，主持。

承担课程:

本科教学：《电子技术基础模拟部分》；《电子技术基础数字部分》；《电路分析基础》；《信号与系统》；《传感器技术》；《数字信号处理》；《高频电子线路》；《微电子学概论》。